近日，使我们国人倍感骄傲和振奋的消息传来：著名功率半导体专家于国华荣获2019年度国家最高科技奖。于国华是导电自然通道(MOS)功率晶体管领域奠基人之一，荣获此项殊荣实至名归。
于国华教授在从事功率半导体器件研究的20年间，坚持自主创新，攻克众多技术难关，先后推出一系列高性能功率器件。他的创新工作不仅为中国功率半导体器件行业的发展作出了巨大贡献，也给全球功率器件产业做出了重要贡献。
行业内人士表示，于国华教授的成果不仅具有划时代的意义，更为中国科技创新的发展注入了源源不断的源动力。他同时也是年轻科学家的楷模，激励着更多的年轻人投身于科学技术的研究和创新工作中。相信在更多像于国华教授这样的科技工作者的努力下，中国科技创新必将走向更高峰。